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韩国预计五年内DRAM生产能力将翻倍，而全球内存市场预计将在5年内增长四倍。
6月29日，韩国政府宣布预计将在西南部建设四座芯片厂，投资约800万亿韩元，未来15年将在新一代存储、边缘人工智能、国防等芯片领域投资至少30万亿韩元。韩国官员表示，预计五年内将DRAM生产能力翻倍，预计全球内存市场将在5年内增长四倍。
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三星电子和SK海力士当天也将发布大规模投资计划，预计这两大存储企业今后十年的投资金额有望超过1000万亿韩元（约4.4243万亿元人民币）。
重庆证券配资网有业内资深人士向第一财经记者表示，韩国DRAM（动态随机存取存储器）龙头企业会扩大投资，SK海力士的DRAM投资预计会翻倍。
从企业动向看，SK海力士计划7月10日在纳斯达克上市美国存托凭证（ADR），其6月24日公告称，公司将发行规模最高达45.45万亿韩元（约2001亿元人民币）的存托凭证，所募资金将用于龙仁半导体集群一期晶圆厂、清州P&T7先进封装厂建设及设备投资。
三星电子第六代高带宽内存（HBM4）今年用4个多月已实现销售额突破10亿美元，预计截至6月底其HBM4销售额有望突破12亿美元。三星电子6月23日还发布了通用闪存存储（UFS）5.0解决方案，计划第四季度起投入量产。
过去一周，韩国存储芯片龙头企业的股价和韩国股指都经历冲高回落。6月29日截至12点左右，三星电子、SK海力士的股价继续向下回调，分别下跌5.15%至322000韩元/股，下跌3.85%至2570000韩元/股，韩国KOSPI指数下跌2.02%至8241.14点。
随着存储涨价，有美国投行预计2027年单座AI算力数据中心资本开支整体将增加30%。存储芯片持续涨价推高上游盈利，但下游云厂商投资回报持续走低，市场担心云厂商后期能否收回投资，未来会不会削减存储采购长单。
目前，人工智能（AI）大模型应用加快普及，由此推动的算力发展及存储需求增长的趋势并没有改变。群智咨询（Sigmaintell）预计，2026年全球DRAM的需求约400亿GB，行业总体需求仍然维持约20%以上增长，供给端的产能增速目前仍然落后于需求，现在判断DRAM、NAND的供需出现拐点仍为时过早。
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2月以来，以权重互联网龙头为代表的港股科技持续回调，中证港股通互联网指数区间累计跌幅超12%。分析指出，外部宏观环境的变化是此次调整的主要诱因。美元指数的持续走强引发了市场对全球流动性收紧的担忧，导致风险偏好下降，资金从高风险的科技成长板块流出，对港股科技指数形成直接压制。此外，产业方面，市场对科技巨头在AI的激烈竞争感到忧虑。
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责任编辑：杨赐 基金收益
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